擴散硅壓力變送器優(yōu)勢

的定義

     硅單晶材料在受到外力作用產生極微小應變時(一般步于400微應變)，其內部原子結構的電子能級狀態(tài)會發(fā)生變化，從而導致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現極大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學特性，在同一切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關部件，使之輸出一個標準信號，就組成了一臺完整的擴散硅壓力變送器。

擴散硅壓力變送器優(yōu)勢

工作原理 

   被測介質的壓力直接作用于傳感器的膜片上，使膜片產生與介質壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉換輸出一個對應于這一壓力的標準測量信號。

技術指標
   精度等級：0.25級基本誤差±0.25%
   非線性誤差：0.3級≤±0.3%FS
   滯后誤差： ≤±0.3%FS
輸出特性：
①0-10mA輸出，負載電阻0-1.5KΩ
②4-20mA輸出，負載電阻0-600Ω
③恒流輸出內阻大于10MΩ
④二線制4-20mA輸出：標準供電DC24V
防爆標志：（RPT-Ⅲ）：Exia Ⅱ CT4-6